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萬用表DMM源測(cè)SMU晶體管反向漏電、擊穿電壓、閾值電壓測(cè)試

日期：2014-07-14瀏覽：2285次

吉時(shí)利KEITHLEY2000萬用表DMM，2600源測(cè)量單元SMU進(jìn)行晶體管，運(yùn)放正向電壓、反向漏電、反向擊穿電壓、閾值電壓、β和跨導(dǎo)參數(shù)測(cè)試
    序由：歐姆定律指出電路元件兩端的電壓 V 與流經(jīng)電路元件的電流 I 和此元件的電阻 R 的關(guān)系：R = V/I。2 端 DMM 通過測(cè)試線輸出測(cè)試電流zui終流入 DMM 的 HI-LO 輸入端子。這種 2 線歐姆系統(tǒng)適合大多數(shù)電阻測(cè)量應(yīng)用。然而，測(cè)試線的 I-R 壓降會(huì)導(dǎo)致 (RL) 在較低電阻的測(cè)量中準(zhǔn)確度明顯降低。４線歐姆測(cè)量或 Kelvin 測(cè)量通過將兩條高阻抗電壓感測(cè)線引出至未知電阻 RX，從而避開了 RL 兩端的電壓降。由于高輸入阻抗導(dǎo)致感測(cè)電路中的電流非常小，因此測(cè)試線實(shí)際上沒有 I-R 壓降，而且在兩個(gè)感測(cè)端子看到的電壓與 RX 兩端形成的電壓相等。

    而美國(guó)吉時(shí)利KEITHLEY源測(cè)量單元SMU可以充當(dāng)用作電壓表、電流表、歐姆表、電源或源負(fù)載以測(cè)量電壓、電流、電阻以及I-V特性分析和曲線跟蹤。然而，SMU 的真正優(yōu)勢(shì)在于同時(shí)進(jìn)行源和測(cè)量——例如在電阻器、二極管、晶體管和運(yùn)放等基礎(chǔ)元器件測(cè)量中，對(duì)被測(cè)器件（負(fù)載）施加電壓并測(cè)量負(fù)載上通過的電流，或著對(duì)負(fù)載提供電流并測(cè)量負(fù)載兩端的壓降。源測(cè)量單元或 SMU 能用作獨(dú)立的恒壓源或恒流源并用作單獨(dú)的電壓表或電流表。SMU 能測(cè)量二極管的正向電壓、反向漏電和反向擊穿電壓。SMU 是 I-V 特性分析測(cè)試的核心儀器，例如探測(cè)二極管和晶體管的基本原理。兩臺(tái) SMU 結(jié)合使用就能進(jìn)行閾值電壓、β 和跨導(dǎo)參數(shù)測(cè)試以及產(chǎn)生半導(dǎo)體曲線族。

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